применение:точная химическая промышленность, фармацевтическая промышленность, инженерство охраны окружающей сре
размер:максимальный диаметр блока пачки трубки может достигнуть 200mm, и высота может быть 500mm.
Материал:кремниевый карбид
Применение:стеклянные полируя агенты смесей, осаждать и decoloring и также использованный в керамическом, катал
CAS нет.:1036-38-3
Материал:СеО2
Применение:интегральные схемаы, прибор детектора/датчика, изготовление MEMS, opto-электронные компоненты, и фот
Диаметр:Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"/Ø 6"/Ø 8"/Ø 12"
Толщина окиси:100 a | 6 um
Применение:интегральные схемаы, прибор детектора/датчика, изготовление MEMS, opto-электронные компоненты, и фот
Диаметр:Ø 4"/Ø 6"/Ø 8"
Толщина прибора:2 um | 300 um
Применение:Полупроводниковое устройство, микроэлектроника, датчик, фотоэлемент, оптика инфракрасн.
Диаметр:Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"
Толщина:500 um | 625 um
Применение:делать LD, СИД, цепь микроволны и применения фотоэлемента
Диаметр:Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"
Толщина:350 um | 625 um
Применение:красное, желтое, и зеленое СИД (светоизлучающие диоды)
Диаметр:Ø 2"
Толщина:400 um
Применение:красное, желтое, и зеленое СИД (светоизлучающие диоды)
Диаметр:Ø 2"/Ø 3"
Толщина:500 um | 625 um
Применение:красное, желтое, и зеленое СИД (светоизлучающие диоды)
Диаметр:Ø 2"/Ø 3"
Толщина:500 um | 625 um
Применение:красное, желтое, и зеленое СИД (светоизлучающие диоды)
Диаметр:Ø 2"/Ø 3"
Толщина:500 um | 625 um
Применение:микроэлектроника, оптическая электроника и микроволна RF
Диаметр:Ø 3"/Ø 4" вафля GaAs
Толщина:500 um | 625 um
Применение:микроэлектроника, оптическая электроника и микроволна RF
Диаметр:Ø 3"/Ø 4" вафля GaAs
Толщина:500 um | 625 um