logo
  • Russian
    English
    French
    German
    Italian
    Russian
    Spanish
    Portuguese
    Dutch
    Greek
    Japanese
    Korean
    Arabic
    Turkish
    Vietnamese
    Polish
Отправить запрос |
Главная страница Продукциякерамика кремниевого карбида

ПОДНОСЫ ИЛИ ПЛИТА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА (SIC), КАК ДЕРЖАТЕЛЬ ВАФЛИ ДЛЯ ICP ВЫТРАВЛЯЯ ПРОЦЕСС В ИНДУСТРИИ СИД

Все продукты

Нагревающие элементы SiC

(121)

Нагревающие элементы Mosi2

(73)

Промышленные керамические изделия

(30)

Азотистый бор керамический

(23)

Технические керамические изделия

(107)

Плашки графита

(10)

стекло macor machinable керамическое

(4)

Керамические изделия глинозема

(49)

керамика кремниевого карбида

(39)

Тугоплавкий материал

(24)

Керамика окиси циркония

(21)

Керамика нитрида кремния

(14)

Абразивные среды

(27)

алмазные резцы

(14)

Смесь матрицы CMC керамическая

(7)
Оставьте нам сообщение

ПОДНОСЫ ИЛИ ПЛИТА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА (SIC), КАК ДЕРЖАТЕЛЬ ВАФЛИ ДЛЯ ICP ВЫТРАВЛЯЯ ПРОЦЕСС В ИНДУСТРИИ СИД

ПОДНОСЫ ИЛИ ПЛИТА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА (SIC), КАК ДЕРЖАТЕЛЬ ВАФЛИ ДЛЯ ICP ВЫТРАВЛЯЯ ПРОЦЕСС В ИНДУСТРИИ СИД
ПОДНОСЫ ИЛИ ПЛИТА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА (SIC), КАК ДЕРЖАТЕЛЬ ВАФЛИ ДЛЯ ICP ВЫТРАВЛЯЯ ПРОЦЕСС В ИНДУСТРИИ СИД ПОДНОСЫ ИЛИ ПЛИТА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА (SIC), КАК ДЕРЖАТЕЛЬ ВАФЛИ ДЛЯ ICP ВЫТРАВЛЯЯ ПРОЦЕСС В ИНДУСТРИИ СИД ПОДНОСЫ ИЛИ ПЛИТА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА (SIC), КАК ДЕРЖАТЕЛЬ ВАФЛИ ДЛЯ ICP ВЫТРАВЛЯЯ ПРОЦЕСС В ИНДУСТРИИ СИД ПОДНОСЫ ИЛИ ПЛИТА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА (SIC), КАК ДЕРЖАТЕЛЬ ВАФЛИ ДЛЯ ICP ВЫТРАВЛЯЯ ПРОЦЕСС В ИНДУСТРИИ СИД

Большие изображения :  ПОДНОСЫ ИЛИ ПЛИТА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА (SIC), КАК ДЕРЖАТЕЛЬ ВАФЛИ ДЛЯ ICP ВЫТРАВЛЯЯ ПРОЦЕСС В ИНДУСТРИИ СИД

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: КИТАЙ
Фирменное наименование: ZG
Сертификация: CE
Номер модели: MS
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 10000 частей
Цена: negotiable
Упаковывая детали: Сильная деревянная коробка для глобальной доставки
Время доставки: 5-8 рабочих дней
Условия оплаты: L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Поставка способности: 10000 частей в месяц
контакт

ПОДНОСЫ ИЛИ ПЛИТА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА (SIC), КАК ДЕРЖАТЕЛЬ ВАФЛИ ДЛЯ ICP ВЫТРАВЛЯЯ ПРОЦЕСС В ИНДУСТРИИ СИД

описание
Материал: кремниевый карбид Цвет: Черный
Размер: Подгонянный Особенность: Превосходная термальная проводимость устойчивая к единообразию температуры удара плазмы хорошему
Выделить:

плиты кремниевого карбида плотности 3.2g/Cm3

,

99

,

5% керамика кремниевого карбида SiC

 

Подносы или плита кремниевого карбида (SiC)

 

Подносы или плита кремниевого карбида (SiC) использовали как держатель вафли для ICP вытравляя процесс в индустрии СИД.

Кремниевый карбид (SiC) имеет превосходную термальную проводимость, коррозионную устойчивость, и с низким тепловым расширением. Кремниевый карбид превосходный материал для колец и подшипников запечатывания. Подносы кремниевого карбида имеют превосходную коррозионную устойчивость, большее сопротивление носки, большую механическую прочность под высокими температурами. Мы поставляем много размеров подносов кремниевого карбида так же, как других продуктов SiC.
 

Свойства подносов кремниевого карбида
 

Составная формула SiC
Молекулярный вес 40,1
Возникновение Черный
Точка плавления 2,730° c (4,946° f) (разлагает)
Плотность 3,0 до 3,2 g/cm3
Электрическая резистивность 1 до 4 10x Ω-m
Коэффициент Poisson 0,15 до 0,21
Специфическая жара 670 до 1180 J/kg-K


Спецификации подноса кремниевого карбида
 

Тип Рекристаллизованный SiC Спеченный SiC Реакция скрепила SiC
Очищенность кремниевого карбида 99,5% 98% >88%
Максимальн Working Temp. („C) 1650 1550 1300
Насыпная плотность (g/cm3) 2,7 3,1 >3
Пористость возникновения <15>2,5 0,1
Flexural прочность (MPa) 110 400 380
Удельная работа разрыва (MPa) >300 2200 2100
Тепловое расширение (10^-6/„c) 4,6 (1200 „c) 4,0 (<500> 4,4 (<500>
Термальная проводимость (W/m.K) 35~36 110 65
Основные характеристики Высокотемпературный. Высокоомный.
Особая чистота		 Твердость трещиноватости Химическая устойчивость


Требование к особенности:

  1. Превосходная термальная проводимость
  2. Устойчивый к удару плазмы
  3. Хорошее единообразие температуры


Применения подноса кремниевого карбида

- Кремниевый карбид можно приложить в зонах как полупроводник и покрытие.
- Наши подносы кремниевого карбида широко использованы в индустрии СИД.

Упаковка кремниевого карбида

Наши подносы кремниевого карбида быть осторожным отрегулированы для того чтобы уменьшить повреждение во время хранения и транспорта и сохранить качество наших продуктов в их первоначальном состоянии.

ПОДНОСЫ ИЛИ ПЛИТА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА (SIC), КАК ДЕРЖАТЕЛЬ ВАФЛИ ДЛЯ ICP ВЫТРАВЛЯЯ ПРОЦЕСС В ИНДУСТРИИ СИД 0
 
 

тег:

Цилиндр 99% SIC керамический,

Цилиндр кремниевого карбида индустрий полупроводника,

Сопла атомизатора масляной серной кислоты SiC

Контактная информация
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Контактное лицо: Daniel

Телефон: 18003718225

Факс: 86-0371-6572-0196

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

около

Промышленные керамические изделия

Муллита керамических изделий нитрида кремния трубки предохранения от термопары промышленного керамические

ПРОМЫШЛЕННЫЕ КЕРАМИЧЕСКИЕ ВАЛЫ ШТРАНГПРЕССОВ (ВИНТОВ), СОПЛ ШТРАНГПРЕССОВ (ЯДРИ)

Нитрид алюминия AlN черных промышленных керамических изделий в парах плунжера

Технические керамические изделия

Керамические изделия круглого квадрата OEM технические минируя поликристаллическую смесь диаманта

ТИГЛИ, БАКИ, ШЕВЕЛИЛКИ, СТЕКЛЯННАЯ ФРИТТА ДЛЯ ОПТИЧЕСКИ СТЕКЛЯННЫЙ ПЛАВИТЬ

ПРОДУКТЫ КЕРАМИЧЕСКОГО ФИДЕРА КРИТИЧЕСКИЕ ДЛЯ СТЕКЛЯННОЙ ДЕЛАЯ ИНДУСТРИИ

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший Качественный Нагревающие элементы SiC поставщик. © 2021 - 2025 HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD. All Rights Reserved.