Силиконовый карбид для коммерческих целей

Карбид кремния, связанный реакцией

Силиконовый карбид, синтезированный реакцией (SiSiC), представляет собой высокочистый карбид кремния микронов с углеродом, который синтезируется путем реакции с кремниевым при 1600 °C при высокой температуре и высоком вакууме.Он содержит 10-12% свободного кремния и является конструктивным керамическим материалом с хорошими общими характеристиками.Он обладает характеристиками высокотемпературного сопротивления, износостойкости, низкого коэффициента трения,и устойчивость к коррозии различными химическими веществами, за исключением фторводородной кислоты и сильных металловОн может быть использован для изготовления деталей со сложными формами, и изменение размера до и после синтерации кристаллов очень мало.